2025化合物半导体展

化合物半导体展暨2025中国国际半导体博览会将于2025年11月在北京亦创国际会展中心以“化合物半导体”作为核心单元，与综合性半导体博览会同址同期举行。本届展会为期三天，面向产业链全环节，聚焦砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石（Diamond）、氧化镓（Ga₂O₃）六大材料体系及其在航空航天、石油勘探、宽带通讯、汽车制造、智能电网等关键场景的应用验证与商业化路径。

一、定位与结构

主办方将展馆划分为“材料-晶圆-器件-模组-系统”五级递进式展区，真实还原一条化合物半导体从晶体生长到终端集成的完整技术链。每个展区设置“性能-环境-寿命”三轴测试岛，可现场完成-55 ℃~+300 ℃温循、10 kV浪涌、10¹⁵ cm⁻³中子辐照等极端工况演示。

二、核心展示内容

材料端

砷化镓：8英寸VB/VGF双工艺晶圆首次同台对比，位错密度<5×10³ cm⁻²。

磷化铟：3英寸至6英寸阶梯式晶圆墙，突出InP在太赫兹频段的优势窗口。

氮化镓：8英寸硅基GaN、6英寸SiC基GaN、4英寸QST基GaN三条产线实物并列，观众可扫描芯片溯源二维码查看外延曲线。

碳化硅：N型与P型8英寸晶锭现场切片，展示200 μm超薄翘曲控制技术。

金刚石：2英寸至6英寸多晶、单晶、掺杂晶圆全系列，热导率≥2000 W·m⁻¹·K⁻¹实测值实时滚动。

氧化镓：6英寸（010）晶圆及8英寸工程样片，击穿场强>8 MV/cm数据现场复测验证。

器件与模组端

航空航天：磷化铟基94 GHz T/R组件MTBF>100 000 h报告现场签字发布。

石油勘探：碳化硅MOSFET+SiC SBD智能功率模块耐温225 ℃，连续运行1000 h无漂移。

宽带通讯：氮化镓毫米波功放模组，饱和功率65 dBm，线性增益25 dB，面向D-band回传。

汽车制造：全碳化硅电驱逆变器功率密度50 kW/L，效率峰值99.2%，已通过AEC-Q101 Grade 0认证。

智能电网：氧化镓横向功率器件，击穿电压>3 kV，导通电阻<3 mΩ·cm²，现场完成10 kA短路关断演示。

三、数据与规模

展览面积：28 000 m²

参展机构：预计>480家（其中材料企业28%、晶圆厂12%、IDM/Fabless 25%、设备与检测20%、应用系统15%）

专业观众：预登记>25 000人，国际观众占比11%

技术报告：>120场

四、参会咨询

联系人：孙先生  电话：135 218 35891