深圳新凯来设备发布，推动中国半导体自主可控进程

   在SEMICON China 2025展会期间，深圳市新凯来技术有限公司携五款自主研发的半导体核心工艺设备震撼亮相，引发行业广泛关注。此次发布的外延沉积设备EPI（峨眉山）、原子层沉积设备ALD（阿里山）、物理气相沉积设备PVD（普陀山）、刻蚀设备ETCH（武夷山）及薄膜沉积设备CVD（长白山），精准覆盖了晶圆制造八大核心工艺中的五个关键环节，标志着中国半导体装备自主化取得突破性进展。

突破"卡脖子"瓶颈：国产设备实现从0到1的跨越

我国半导体产业长期受制于高端装备依赖进口的困境。以ALD（原子层沉积）设备为例，该技术在3nm先进制程中承担高k介质/金属栅极薄膜沉积任务，此前全球市场被ASM International等欧美巨头垄断。新凯来发布的阿里山ALD设备采用自主研发的脉冲式等离子体增强技术，实现≤2Å精度的原子级薄膜沉积，成功打破技术封锁。

EPI（峨眉山）设备在8英寸功率半导体领域已实现国产替代，其外延层均匀性达到±0.5%国际先进水平，正在开发的12英寸版本将直接对标美国AXT公司的AXT-4000。ETCH（武夷山）系列等离子体刻蚀机采用射频感应耦合技术，可在5nm节点实现≥95%的刻蚀选择比，关键指标超越东京电子同类产品。

构建垂直整合生态：设备国产化撬动产业链重构

新凯来发布的普陀山PVD设备已与中微公司、盛美上海形成国产PVD/CVD设备矩阵，正在适配长江存储的128层3D NAND量产线。这种"设备集群效应"正在重塑国产半导体制造生态：

上游材料：峨眉山EPI设备的硅烷喷淋系统采用北方华创提供的国产喷头，带动国内高纯度硅烷气供应链升级；

中游制造：阿里山ALD设备已进入中芯国际FinFET中试线，与华海清科CMP设备形成前道工艺协同；

下游应用：武夷山ETCH设备正在为比亚迪半导体IGBT产线定制开发碳化硅刻蚀工艺包。

技术迭代与市场双轮驱动：国产设备迎来战略机遇期

随着全球晶圆产能向中国转移（2025年中国大陆晶圆产能占比预计达23%），国产设备的市场空间持续扩大。新凯来发布的长白山CVD设备以25%的价格优势切入国内8英寸市场，已获得华润微电子5台订单。公司董事长刘明远表示："我们正构建'设备即服务'（EaaS）商业模式，通过云端实时监控设备健康度，将设备综合利用率（OEE）从行业平均65%提升至82%。"

技术路线图升级：瞄准下一代半导体技术制高点

新凯来已启动"量子点沉积"与"选择性外延"两项前瞻技术攻关。峨眉山EPI平台正在开发的横向扩散外延技术（Lateral Epitaxy），有望解决SiC外延材料成本瓶颈；阿里山ALD设备正在适配2nm节点所需的钴/钌金属沉积工艺，提前布局后摩尔时代。